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                                  單分子量干擾效應的電化學調節結果發表在《自然-材料》

                                  洪文景教授的研究團隊在消除單分子電子器件電傳輸中的量子干涉效應方面取得了重要進展 。相關研究成果爲“電化學澆注實現單分子噻吩結中破壞性量子干涉的反共振特徵” 。發表於2019年2月11日,地址爲《自然

                                  -材料》(Nature Materials ,DOI: 10.1038/s41563-018-0265-4)。

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                                  構建基於單一有機分子的電子器件爲電子器件的小型化提供了潛在的技術解決方案 。在單分子器件中 ,當通過單分子器件中的不同電傳輸路徑時,電子將由於相位差而表現出增強的或破壞性的量子干涉效應 ,這對納米亞納米級電子傳輸具有獨特的影響。製備  。基於單分子量級新型量子效應的新型高性能電子器件提供了重要的機會 。合理調節單分子電子器件的量子干涉效應是該領域未來發展的關鍵挑戰之一。

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                                  本研究開發了一種可以集成電化學門控的單分子電子器件測試芯片技術和科學儀器方法。具有破壞性量子干涉效應的噻吩衍生物分子器件的電輸運過程在實驗和理論水平上進行。電化學調控研究首次實現了室溫下單分子電子器件中量子干涉反共振現象的直接觀察和調控,爲製備新型分子材料和器件提供了新的設計思路 。量子干涉效應 。戰略 。本研究充分論證了電化學調節技術在信息材料和器件領域的重要應用潛力,也反映了固體表面物理化學國家重點實驗室在電化學研究和科學儀器研發領域的技術積累。 ,以及科學的前沿。開展跨學科探索的研究特色 。

                                  研究工作在上海電力大學洪文靜教授,陳文波教授和英國蘭卡斯特大學教授科林蘭伯特的指導下進行 。我們的博士生白潔和李曉輝是該論文的共同第一作者。劉俊陽副教授 ,研究生唐永祥  ,劉帥 ,黃小娟 ,譚志兵,薩賓東微納研究所楊楊副教授也參與了這項研究 。工作  。譚中羣教授和毛炳偉教授爲這項工作提供了重要指導。工作獲得國家科技部國家重點研發計劃(項目批准文號:2017YFA0204902) ,國家自然科學基金優秀青年科學基金等項目(項目批准文號:21722305,21673195,21703188,21503179)和中國博士後科學基金(項目審批) 。編號:2017M622060)和其他項目也得到了固體表面物理化學國家重點實驗室和能源材料化學協同創新中心的支持 。

                                  論文鏈接:http://dx.doi.org/10.1038/s41563-018-0265-4

                                  TR

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